IAUC100N04S6N022ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6N022ATMA1 por Infineon e BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6N022ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $1,21
Technology OptiMOS 6, N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) 2.2 mOhm —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
Polarity N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualification AEC-Q100 (IAUC family) —
Contagem de pinos 8 —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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