IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC120N04S6N010ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L042GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,86
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 Trench N-Channel MOSFET
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) -55C to +175C (Tj)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Fichas técnicas e recursos

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