IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon e IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC60N04S6L030HATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,94 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | 60 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | 3.0 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 35 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.128 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 596 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | 75 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per part number suffix) | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 42 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +175C (junction) |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |