IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 비교

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IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $0.58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
동작 온도 범위 — -55C to +175C (junction)
Channel Polarity — N-Channel (single)

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