IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N10S5L110ATMA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUC60N10S5L110ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,66 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™-5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) | 88 W | — |
| R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V | 11 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] | -55C to +175C |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] | — |
| Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (RoHS compliant per LCSC listing) | — |
| Packing Code | ATMA1 (Tape & Reel) | — |
| Nível MSL | 1 (per LCSC datasheet snippet) | — |
| Livre de halogênio | Yes (per Infineon product classification) | — |
| Customer Info / FGR | J52 (per Infineon product data) | — |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| Corrente de dreno pulsada | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| Número de pinos | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |