IAUCN04S7L014ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L014ATMA1 por Infineon e IPC100N04S5L1R5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7L014ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Automotive —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.43 mΩ —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] —
Power Dissipation (Pd) [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) -55C to +175C
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260C peak reflow)
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

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