IAUCN04S7L014ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7L014ATMA1 von Infineon und IPC100N04S5L1R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ Aktiv
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IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7L014ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Automotive —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.43 mΩ —
Gate-Schwellenspannung [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] —
Power Dissipation (Pd) [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) -55C to +175C
Gehäuse PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant Compliant (Green Product)
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260C peak reflow)
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

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