IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L028ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L042GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 2.80 mOhm at VGS=10 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 1.8 V (typ) —
Gate Charge (Qg) 24 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.578 nF —
Output Capacitance (Coss) 788 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 36 pF —
Dissipação de potência (Ptot) 58 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7 40V
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Nível MSL — 1
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Fichas técnicas e recursos

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