IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L028ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L042GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,88 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 2.80 mOhm at VGS=10 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 1.8 V (typ) —
Gate Charge (Qg) 24 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.578 nF —
Output Capacitance (Coss) 788 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 36 pF —
Рассеиваемая мощность (Ptot) 58 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Корпус PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 7 40V
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Уровень MSL — 1
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену