IAUCN04S7N009ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N009ATMA1 por Infineon e BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7N009ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,55 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | Single MOSFET |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |