IAUCN04S7N009ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N009ATMA1 от Infineon и BSZ110N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IAUCN04S7N009ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,55 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | Single MOSFET |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |