IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N009ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S7N021ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $1,55
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Temperatura de operação — -55C to +175C
Nível MSL — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Fichas técnicas e recursos

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