IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN10S7N021ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $1,55
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Niveau MSL — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

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