IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN10S7N021ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N009ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUCN10S7N021ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $1,55 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| Рабочая температура | — | -55C to +175C |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |