IAUS260N10S5N019TATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUS260N10S5N019TATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUS260N10S5N019TATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
Encapsulamento PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 16 —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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