IAUS260N10S5N019TATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 비교
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Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IAUS260N10S5N019TATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.95 | $0.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| 패키지 | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 16 | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (Tj) | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |