IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZN04S7N049ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N027GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZN04S7N049ATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) 14 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 70 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 to 4.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) 45 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds max) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) — 117 A
On-Resistance (Rds(on) max) — 2.67 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 70 W (Tc)
Encapsulamento / Caixa — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Gate-Source Voltage Max (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL]
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy FR-4

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação