IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZN04S7N049ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N027GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUZN04S7N049ATMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-7 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) | 14 A | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) | 1.2 to 4.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) | 45 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive |
| Technology | OptiMOS-7 trench-gate | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |