IGL65R080D2XUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IGL65R080D2XUMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IGL65R080D2XUMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,97 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Tipo de transistor | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | 80 mΩ (typical) | — |
| Encapsulamento | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Tipo de montagem | Surface Mount, wettable flank | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Technology | GaN-on-Si, 200 mm wafer | Trench MOSFET, silicon |
| Typical Applications | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |