IPB038N12N3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB038N12N3GATMA1 por Infineon e BSC039N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB038N12N3GATMA1 BSC039N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 120V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Gate Drive Logic-level compatible —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Encapsulamento — PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
Número de pinos — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação