IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon e IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPB70N10S3L12ATMA1 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,65 | $1,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS (IPB70N10) | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 70 A | — |
| Peak Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 125 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche Tested | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Encapsulamento | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| Contagem de pinos | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Status RoHS | — | Compliant (per Infineon product page) |