IPD038N06N3GATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD038N06N3GATMA1 por Infineon e IPB110P06LMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD038N06N3GATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,65 | $1,31 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | P-Channel |
| Series | OptiMOS 60V | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.8 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +175 C (TJ) |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |