IPD038N06N3GATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD038N06N3GATMA1 par Infineon et IPB110P06LMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD038N06N3GATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $1,31 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | P-Channel |
| Series | OptiMOS 60V | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.8 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +175 C (TJ) |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Boîtier / Format | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |