IPD65R225C7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD65R225C7ATMA1 por Infineon e IPD60R380C6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD65R225C7ATMA1 | IPD60R380C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,34 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Super-junction (SJ) / CoolMOS | CoolMOS C6 Superjunction |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 11 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 63 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 225 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +150°C | — |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 3 (2 + tab) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 10.6 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 380 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 83 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55C to +150C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Tab Connection | — | Exposed pad (electrically connected to drain) |