IPD65R225C7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD65R225C7ATMA1 от Infineon и IPD60R380C6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD65R225C7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,34 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS C7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 3 (2 + tab) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену