IPD65R380E6ATMA1 vs IPD052N10NF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon e IPD052N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD65R380E6ATMA1 IPD052N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Part Number — IPD052N10NF2SATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 118 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max — 3.8 V @ ID=84µA
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK, SC-63)
Supplier Device Package — PG-TO252-3
Temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (TJ)
Number of Channels — 1

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