IPG20N10S4L22AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N10S4L22AATMA1 por Infineon e BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 - 100V Dual N-ch 22mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L22AATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N10S4L22AATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $1,21
FET Type Dual N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 20 A —
On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 22 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 60 W —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Lead Configuration Wettable Flank —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS T2 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Temperatura de operação -55°C to +175°C —
Status RoHS Compliant Compliant
Channel Count 2 (dual independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Nível MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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