IPG20N10S4L22AATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPG20N10S4L22AATMA1 от Infineon и BSC019N04LSTATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPG20N10S4L22AATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,45 | $1,21 |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | OptiMOS T2 | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Рабочая температура | -55°C to +175°C | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +150 C |
| Уровень MSL | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |