IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R600P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R060CFD7AUMA1 por Infineon e IPD60R600P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,03 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CFD7 CoolMOS P7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +150 °C -55C to +150C (TJ)
Encapsulamento PG-VSON-4-1 (Surface Mount) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Part Number — IPD60R600P7ATMA1
Technology — Superjunction (SJ) / CoolMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 6 A
On-Resistance (RDS(on)) — 490 mOhm (max)
Power Dissipation (PD, TC) — 30 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Generation — CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6)
Ordering Code Suffix — ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch

Fichas técnicas e recursos

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