IPL60R065C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R065C7AUMA1 por Infineon e IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R065C7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A —
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
Encapsulamento / Caixa PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (T_J) -55C to +150C
Status RoHS Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
Technology — Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Encapsulamento — PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Channel Type — N-Channel
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Livre de halogênio — Yes
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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