IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPTC017N12NM6ATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPTC017N12NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,95 | $0,78 |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | — |
| Encapsulamento | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-TDSON-8 FL |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55 °C to +175 °C (TJ max) | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Número de pinos | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |