IQD016N08NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQD016N08NM5ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,68 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| Nível MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |