IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH88N06LM5CGSCATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,31 $0,92
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Dissipação de potência (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (Tj)
Encapsulamento PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Contagem de pinos 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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