IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQDH88N06LM5CGSCATMA1 от Infineon и IAUC120N06S5L015ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,31 $0,92
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Непрерывный ток стока (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (Tj)
Корпус PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Число выводов 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену