IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE008N03LM5CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE008N03LM5SCATMA1 por Infineon e IQE008N03LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $2,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Technology Trench MOSFET (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 252 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 0.85 mΩ at VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2 V (typ)
Gate Drive Voltage 10 V (recommended) —
Encapsulamento PG-WHSON-8 (Source-Down) PG-WHTFN-9 (WHTFN)
Configuration Single N-Channel Dual N-Channel MOSFET Array
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (top + bottom cooling)
Cooling Architecture Source-Down, dual-side cooling —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages)
Status RoHS Compliant Compliant
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 252 A (per channel, case-temperature limited)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 0.85 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Polarity — N-Channel
Número de pinos — 9 (WHTFN with exposed thermal pads)
Livre de halogênio — Yes (Infineon standard for OptiMOS 5)

Fichas técnicas e recursos

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