IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQD009N06NM5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE036N08NM6CGATMA1 por Infineon e IQD009N06NM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE036N08NM6CGATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 118 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 16.7 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V (max) —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction, Tj) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL classification]
Status RoHS Compliant Compliant
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 —
Configuration Single N-channel, Source-Down —
Part Series — OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 445 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Tape and Reel Packaging — Yes (suffix SCATMA1)

Fichas técnicas e recursos

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