IRF5210PBF vs IRF520NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF5210PBF por Infineon e IRF520NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF5210PBF IRF520NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,66
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc -40 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V (typical -2 V) —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 60 milliohms —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 200 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) -55C to +175C
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET (vertical DMOS)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Tab Connection Electrically tied to Drain —
Pin Configuration Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Nível MSL — 1 (unlimited)
Status RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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