IRF5210PBF vs IRF520NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF5210PBF par Infineon et IRF520NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF5210PBF IRF520NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,66
Type de transistor P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc -40 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V (typical -2 V) —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 60 milliohms —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 200 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) -55C to +175C
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET (vertical DMOS)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Tab Connection Electrically tied to Drain —
Pin Configuration Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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