IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF530NPBF por Infineon e IRFR4615TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF530NPBF IRFR4615TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,38 $0,39
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Tipo de transistor N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Technology — IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Encapsulamento — TO-252AA (DPAK)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Energia de avalanche de pulso único — 109 mJ

Fichas técnicas e recursos

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