IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF530NPBF 제조: Infineon 및 IRFR4615TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF530NPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.39 |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 / 케이스 | TO-220AB (through-hole) | — |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| MSL 레벨 | N/A (through-hole) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | — | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C |
| 패키지 | — | TO-252AA (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| 단일 펄스 애벌런치 에너지 | — | 109 mJ |