IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF530NPBF от Infineon и IRFR4615TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF530NPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,38 | $0,39 |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Тип транзистора | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус / Типоразмер | TO-220AB (through-hole) | — |
| Тип монтажа | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | N/A (through-hole) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | — | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Корпус | — | TO-252AA (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Энергия одиночного лавинного импульса | — | 109 mJ |