IRF640NPBF vs IRF1310NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF640NPBF por Infineon e IRF1310NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF640NPBF IRF1310NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $0,98
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 73.3 nC
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs value]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C

Fichas técnicas e recursos

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