IRF7341GTRPBF vs IRF7389PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7341GTRPBF por Infineon e IRF7389PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7341GTRPBF IRF7389PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,76 $0,61
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel N and P-Channel (complementary half-bridge)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET Generation V HEXFET
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) SO-8 (SOIC-8) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) — 30 V
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) — -30 V
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) — 7.3 A
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) — -5.3 A
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max — 0.029 ohm at V_GS=10V
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max — 0.058 ohm at V_GS=10V
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical — 22 nC
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical — 23 nC
Power Dissipation (P_D) — 2.5 W
Pinout — Industry-standard complementary SO-8
Livre de halogênio — Yes
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)

Fichas técnicas e recursos

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