IRFB7534PBF vs FDP030N06 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB7534PBF por Infineon e FDP030N06 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB7534PBF FDP030N06
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $1,89
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7534PBF —
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) PowerTrench (Trench)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Encapsulamento TO-220AB TO-220-3 (3+Tab)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Status RoHS Compliant (PbF suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Nível MSL MSL1 (unlimited floor life) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 120 A (Tc)
Continuous Drain Current (datasheet rating) — 193 A (Tc, datasheet title rating)
RDS(on) Max @ Id, Vgs — 3.2 mOhm
RDS(on) Typ — 2.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 231 W (Tc)
Gate Drive Type — Standard level gate drive
Switching Speed — Fast
Gate Input Resistance — Low gate input resistance (low gate charge)
Avalanche Test — 100% avalanche tested
Packing — Tube
Typical Applications — Power supply, switching applications

Fichas técnicas e recursos

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