IRFH5015TRPBF vs IRFR7540TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon e IRFR7540TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFH5015TRPBF | IRFR7540TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,62 | $0,48 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| Encapsulamento | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | TO-252AA (DPAK) Surface Mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Temperatura de operação | -55C to +150C (TJ max) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 110 A (limited by TJmax) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 140 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.8 mΩ |
| RDS(on) typical at 100µA VGS | — | 3.7 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.7 V typical |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Nível MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |