IRFH5015TRPBF vs IRFR7540TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFH5015TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR7540TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFH5015TRPBF | IRFR7540TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.62 | $0.48 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| 패키지 | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | TO-252AA (DPAK) Surface Mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| 동작 온도 | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 110 A (limited by TJmax) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 140 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.8 mΩ |
| RDS(on) typical at 100µA VGS | — | 3.7 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.7 V typical |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |