IRFH5301TRPBF vs IRFH5300TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5301TRPBF por Infineon e IRFH5300TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5301TRPBF IRFH5300TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,45
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (StrongIRFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) 50 nC
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Encapsulamento PQFN (5x6 mm) Single Die PQFN-8 (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 40 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 336 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissition at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 250 W
Gate Drive Level — Logic-level (5V optimized)
JEDEC Qualification — Yes
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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