IRFH8318TRPBF vs IRFH7084TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH8318TRPBF por Infineon e IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH8318TRPBF IRFH7084TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Encapsulamento PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +150°C —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ)
Livre de halogênio — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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