IRFH8318TRPBF vs IRFH7084TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFH8318TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH7084TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFH8318TRPBF IRFH7084TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.48 $0.45
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
패키지 PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55°C to +150°C —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
동작 온도 범위 — -55°C to +175°C (TJ)
할로겐 프리 — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청