IRFR540ZTRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR540ZTRLPBF por Infineon e IRFR3710ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR540ZTRLPBF | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,42 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 110 A | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 28.5 mΩ max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±V rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical V] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 39 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 91 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Technology | IR MOSFET™ / HEXFET® | HEXFET (IR MOSFET) |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |